Hardware : bientôt de la RAM à partir de matériaux magnétiques ?
Hardware : bientôt de la RAM à base de matériaux magnétiques ?
Des économies d’énergie en perspective d’après les résultats de chercheurs russes
Et si la mémoire vive était fabriquée à partir de matériaux magnétiques dans les années à venir ? Des chercheurs sont en train d’évaluer cette possibilité et en sont au stade du prototype. De nombreux avantages de l’utilisation de ce dispositif sont déjà annoncés : meilleure efficacité énergétique que les mémoires à semi-conducteurs, temps de démarrage quasi nul, rétention de l’information en cas de coupure d’énergie, etc.
« Nous avons développé un prototype [cf. image ci-dessous] et avons démontré qu’il fonctionne », a déclaré Anton Churbanov, un étudiant en doctorat de l’institut moscovite de physique et technologie (MIPT) » qui a ajouté qu’ « il serait important de souligner que les structures utilisées peuvent servir de base à la mise sur pied de nano cellules de mémoire de dimensions similaires à celles des mémoires vives régulières. »
Le prototype de cellule de mémoire magnétoélectrique (MELRAM) est constitué de deux sous-ensembles : un matériau dit piézoélectrique et une couche d’un autre à la fois magnétoélastique et anisotropique. Pour rappel, les matériaux piézoélectriques sont ceux qui se déforment suite à l’application d’une tension.
Les matériaux magnétoélastique pour leur part se magnétisent lorsqu’ils subissent une contrainte mécanique et s’ils sont en plus anisotropiques, la nature de la contrainte peut permettre d’obtenir une orientation particulière du champ magnétique. Dans ce cas précis, deux orientations différentes du champ correspondent respectivement aux « 0 » et « 1 » logiques.
Donc l’écriture d’un « 0 » ou d’un « 1 » correspond à l’application de la valeur de tension requise pour provoquer une orientation particulière du champ (grâce à la déformation de la structure magnétoélastique). La lecture d’un bit serait pour sa part réalisée en détectant la variation de tension produite aux bornes d’application de la tension de contrôle suite au changement d’orientation du champ.
« Dans cette publication, nous présentons la cellule mémoire magnétoélectrique. Elle va permettre de réduire la consommation d’énergie liée à la lecture et à l’écriture d’un bit d’un facteur de 10 000 ou plus », a déclaré Sergei Nikitov, directeur adjoint de la section radiophysique et technologies de l’information appliquées de l’institut moscovite de physique et technologie.
Ces développements paraissent prometteurs pour des applications informatiques avec un budget énergie réduit (alimentation par batterie, etc.). Les chercheurs affirment en effet que leur solution peut être adaptée à des ensembles mémoires plus grands sans que cela n’impacte sur l’efficacité énergétique.
Source : MIPT
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parce que 10 000 fois moins sa peut faire beaucoup et rien 
Envoyé par nkplizz
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