Discussion :

[dourouc05]

Intel est habitué à l'innovation du côté de la mémoire : après ses SSD Optane (donc du stockage à long terme) qui peuvent aussi s'utiliser en complément à la RAM (la mémoire vive), voici la mémoire STT-MRAM (spin-transferable torque magnetoresistive random-access memory). Elle a été présentée à la conférence SSCC (solid-state circuit conference) comme une alternative à la SRAM (static RAM), utilisée notamment pour les registres des processeurs (une latence presque invisible), mais aussi à la NAND (ou mémoire flash), que l'on retrouve dans les SSD et les cartes mémoire.

La MRAM n'est pas une technologie nouvelle, puisqu'elle existe depuis les années 1990. Elle stocke l'information sous la forme de résistances magnétiques (plutôt que dans un condensateur pour la DRAM ou dans des portes logiques NAND pour la mémoire flash). Elle allie les avantages de tous les types de mémoire : on peut avoir de la MRAM très dense, avec des temps d'accès très réduits (de l'ordre de dix nanosecondes, tant en lecture qu'en écriture), mais aussi sans volatilité. L'endurance est aussi au rendez-vous, selon les tests d'Intel : une cellule de mémoire peut survivre à au moins un million de cycles, avec moins d'une erreur de lecture tous les mille milliards de cycles.

Intel se focalise sur la STT-MRAM, un type particulier de mémoire magnétique : traditionnellement, pour inverser un bit, on utilise un champ magnétique relativement intense pour l'échelle considérée. La technologie STT utilise au contraire un courant électrique polarisé (tous les électrons ont le même spin). Cette technique utilise moins d'énergie pour changer un bit, de l'ordre du dixième de picojoule (une cinquantaine de fois moins que pour la DRAM usuelle, plusieurs centaines de fois moins que pour la mémoire flash).

Pour le moment, Intel fabrique des composants de sept mégaoctets, qui ne révolutionneront donc pas l'industrie. Pour ce faire, la société utilise un processus de fabrication de semi-conducteurs relativement vieux (son 22 nm, disponible depuis 2011), mais atteint un taux de défauts inférieur à un pour mille. Cette prouesse est sûrement due à un processus de fabrication maîtrisé et à une conception relativement simple de la MRAM.

Source : Intel STT-MRAM Technology Is Ready for Mass Production.

[Steinvikel]

Elle allie les avantages de tous les types de mémoire : on peut avoir de la MRAM très dense, avec des temps d'accès très réduits (de l'ordre de dix nanosecondes, tant en lecture qu'en écriture), mais aussi sans volatilité. L'endurance est aussi au rendez-vous, selon les tests d'Intel : une cellule de mémoire peut survivre à au moins un million de cycles, avec moins d'une erreur de lecture tous les mille milliards de cycles.

en comparaison des SSD en cellules SLC, est-ce frénétiquement meilleur, ou comparable ?
en terme de réactivité (nano-secondes) et d’endurance.